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DMP2240UDM-7 发布时间 时间:2025/7/8 21:16:09 查看 阅读:9

DMP2240UDM-7 是一款基于 DMOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用超小型 UDM 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种便携式设备、电源管理模块以及需要高效能功率转换的应用场景。
  其主要设计目标是满足低功耗系统的需求,同时保持优异的热性能和电气特性。

参数

型号:DMP2240UDM-7
  封装类型:UDM-7
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):5.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  Id(连续漏极电流):18A
  功耗:1.6W
  f(tsw)(切换频率):最高支持至 2MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DMP2240UDM-7 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻 Rds(on),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 具备出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  4. 小型化封装设计,能够节省电路板空间。
  5. 静电防护能力达到 HBM 标准 2kV 级别,提升了在实际应用中的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

DMP2240UDM-7 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器及 DC/DC 转换器。
  2. 各类电池供电设备,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
  3. LED 驱动电路和背光调节。
  4. 功率放大器和音频处理电路中的开关元件。
  5. 电机驱动控制及负载切换。
  6. 工业级自动化控制系统中的功率调节模块。

替代型号

DMP2040UDM-7, DMN2240UFH-7

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DMP2240UDM-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds320pF @ 16V
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP2240UDMDITR