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STK394-250 发布时间 时间:2025/12/28 10:15:41 查看 阅读:14

STK394-250是一款由Sanken(三垦)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率控制的电子设备中。该器件采用TO-220FP封装形式,具备良好的散热性能和较高的功率处理能力,适合在中高功率应用场景下使用。STK394-250以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称,在工业控制、消费类电子及电源管理领域有广泛应用。
  该MOSFET设计用于在高频条件下稳定工作,能够有效降低开关损耗,提高系统整体效率。其结构优化了热阻特性,增强了在持续负载下的稳定性与安全性。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。

参数

型号:STK394-250
  类型:N沟道MOSFET
  封装形式:TO-220FP
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):7A
  脉冲漏极电流(Idm):28A
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.65Ω,最大值0.85Ω @ Vgs=10V
  阈值电压(Vgs(th)):典型值3V,范围2V~4V
  输入电容(Ciss):典型值1100pF @ Vds=25V, Vgs=0V
  输出电容(Coss):典型值380pF
  反向恢复时间(trr):典型值45ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  热阻(Rth(j-c)):典型值1.7°C/W

特性

STK394-250具备优异的电气和热性能,能够在高压环境下实现高效的功率切换操作。其核心优势之一是较低的导通电阻(Rds(on)),这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗,从而提升系统的能量转换效率,并减少对散热系统的要求。这对于紧凑型电源设计尤为重要,有助于缩小整体体积并降低成本。
  该器件具有良好的栅极驱动兼容性,可在+10V的标准驱动电压下完全导通,适用于常见的PWM控制器输出逻辑。其输入电容和输出电容参数经过优化,确保在高频开关应用中仍能保持较低的驱动损耗和电磁干扰(EMI)。同时,反向恢复时间较短,有助于减少体二极管在续流过程中的能量损失,特别适合用于同步整流或桥式电路拓扑结构。
  从可靠性角度看,STK394-250采用了坚固的硅基工艺和封装技术,能够在高温、高湿及振动等恶劣环境中稳定运行。其最大漏源电压达到500V,使其适用于通用AC-DC适配器、离线式开关电源(SMPS)、LED恒流驱动电源等多种市电直驱或高压直流供电场合。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,支持极端温度条件下的长期运行。
  TO-220FP封装不仅提供了良好的机械强度,还具备优良的热传导路径,便于安装散热片以进一步增强散热能力。这种封装形式在工业级应用中非常普遍,易于自动化生产和维修更换。此外,该器件通过了多项国际安全与环保认证,包括RoHS合规性,支持绿色制造流程。

应用

STK394-250常用于各类中功率开关电源系统中,如电视机、显示器、小型家电的内置电源模块,以及工业控制设备中的DC-DC转换器。由于其高耐压和较强电流承载能力,也广泛应用于LED照明驱动电路,特别是在需要恒流输出和高效率转换的场景下表现优异。
  在电机驱动领域,该MOSFET可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路,作为主开关元件实现正反转控制和调速功能。其快速开关响应能力和低导通损耗有助于提高驱动精度和系统响应速度。
  此外,STK394-250还可用于逆变器、UPS不间断电源、电池充电器等电力电子装置中,承担主功率开关的角色。在这些应用中,它通常与其他MOSFET或IGBT配合使用,构成半桥或全桥拓扑结构,完成直流到交流的能量转换任务。
  由于其稳定的性能和成熟的供应链体系,该器件也被广泛用于教学实验平台和原型开发项目中,作为学习功率电子技术的理想选择之一。

替代型号

K2646, FJP5026, 2SC4468, BUZ900

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