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HY62C256ALJ-70 发布时间 时间:2025/9/1 21:29:12 查看 阅读:8

HY62C256ALJ-70 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256Kbit,组织形式为32K x 8。该芯片适用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场景,例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信设备等。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特性。HY62C256ALJ-70 采用44引脚TSOP封装,适用于表面贴装技术。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:32K x 8
  访问时间:70ns
  电源电压:5V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:44引脚TSOP

特性

HY62C256ALJ-70 SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有以下显著特性:
  首先,它的高速访问时间为70ns,能够满足需要快速数据读写的应用需求。这种低延迟的特性使其非常适合用于缓存存储器或需要实时数据处理的系统。
  其次,该芯片工作电压为标准5V,具备良好的电源兼容性,可以方便地与各种主控芯片接口连接,而不需要额外的电压转换电路。
  另外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、自动化设备等对稳定性要求较高的应用场合。
  HY62C256ALJ-70采用44引脚TSOP封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并支持表面贴装工艺,便于大规模生产和维护。

应用

HY62C256ALJ-70因其高速度、低功耗和宽温特性,广泛应用于多个领域。例如,它可用于嵌入式系统的高速缓存或临时数据存储;在工业控制领域中,作为PLC控制器或测量设备的数据缓冲器;在网络设备和通信模块中,用作数据包的临时存储单元;此外,也可用于医疗仪器、测试设备、汽车电子等对可靠性有较高要求的场景。

替代型号

CY62148EAL-70PC, IS62C256ALB-70NLI, IDT71V124SA70PFGI

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