时间：2025/5/23 6:35:51
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DMP21D1UT是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件采用DFN2020-6L封装形式，具有小型化和高效能的特点。DMP21D1UT通常用于需要低导通电阻、快速开关特性和高效率的电路设计中，如负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路以及其他便携式电子设备。
最大漏源电压：20V
最大连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.9nC（典型值）
输入电容：120pF（典型值）
总耗散功率：400mW（在结温为25℃时）
工作温度范围：-55℃至150℃
DMP21D1UT具备非常低的导通电阻，这使得其在电源管理和功率转换应用中能够显著减少能量损耗并提升效率。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了出色的热稳定性和可靠性。
其小型化的DFN2020-6L封装非常适合空间受限的设计环境，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
DMP21D1UT还具有快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高系统的动态性能。
DMP21D1UT广泛应用于各种消费类电子产品及工业领域，包括但不限于：
便携式设备中的负载开关应用，例如智能手机和平板电脑。
降压型DC-DC转换器，用于将较高的输入电压转换为较低的输出电压以供电给敏感的电子组件。
电池保护和管理系统，用以防止过充、过放或短路等情况发生。
电机驱动电路中的功率级控制，实现对小型直流电机的精准控制。
其他需要高效功率转换和低功耗特性的应用场景。
DMP2002UFG,DMP2002UFH
