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IRF7464TR 发布时间 时间:2025/5/15 15:08:27 查看 阅读:7

IRF7464TR 是一款由 Vishay 提供的 N 没有逻辑控制功能的双通道功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchFET 技术,能够提供极低的导通电阻和高效的开关性能。IRF7464TR 包含两个独立的 MOSFET 单元,分别用于高边和低边驱动应用。它广泛适用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器、电机驱动以及电池供电设备等领域。
  其封装形式为 PowerPAK SO-8,具备出色的散热性能,并且可以有效节省 PCB 空间。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  Ids(持续漏极电流):60A
  栅极电荷:29nC(典型值)
  总栅极电荷:37nC(典型值)
  开关时间:ton=9ns,toff=18ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C 到 +175°C

特性

IRF7464TR 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,尤其在高频操作中表现优异。
  3. 高雪崩能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. 双 MOSFET 集成设计简化了电路布局,减少了元件数量。
  5. PowerPAK SO-8 封装形式,具有较低的热阻和寄生电感,从而改善了散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 支持高电流密度,适用于大功率应用环境。

应用

IRF7464TR 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器和负载点转换器中的同步整流。
  2. 电池供电设备中的高效电源管理。
  3. 电机驱动电路,包括 控制。
  4. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关管或同步整流管。
  5. 工业自动化系统中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  7. 通信设备中的电源调节与分配。

替代型号

IRF7465TR, IRF7466TR

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IRF7464TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫欧 @ 720mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)