时间：2025/12/28 0:46:55
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FHP7N80是一款由富满微电子集团股份有限公司（FMEX Microelectronics）生产的高压N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高耐压和高效能的功率控制场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优良的开关特性和导通电阻表现，能够在高温环境下稳定工作。FHP7N80的漏源击穿电压高达800V，适合用于AC-DC功率转换电路中，尤其在反激式（Flyback）拓扑结构中表现出色。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，便于在紧凑型电源设计中实现高效热管理。
FHP7N80的设计注重可靠性与性价比，适用于消费类电子产品中的电源适配器、LED驱动电源、电视机电源板以及工业控制设备等应用场景。该MOSFET在待机功耗优化方面也有良好表现，有助于提升整体系统能效并满足能源之星等节能标准要求。此外，该器件内部未集成快速恢复二极管，因此在某些应用中需外接续流二极管以防止反向电流冲击。由于其高耐压能力和稳定的电气特性，FHP7N80已成为国内众多电源制造商替代进口同类产品的优选之一。
型号：FHP7N80
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25℃：7A
脉冲漏极电流（Idm）：28A
最大功耗（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：≤2.2Ω
导通电阻（Rds(on)）@5V Vgs：≤2.8Ω
阈值电压（Vth）：2.0~4.0V
输入电容（Ciss）：典型值1200pF
输出电容（Coss）：典型值100pF
反向恢复时间（trr）：无内部二极管
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
FHP7N80具备优异的高压阻断能力，其800V的漏源击穿电压使其能够稳定应用于市电整流后的高压侧开关电路中，有效应对瞬态过压冲击，提高了系统的安全裕度。该器件采用了优化的元胞结构和平面工艺，使得在高电压条件下仍能保持较低的导通电阻，从而降低导通损耗，提升电源转换效率。同时，其栅极电荷量（Qg）较低，典型值约为50nC，这有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，特别适用于高频开关电源设计。
该MOSFET的热稳定性良好，在高温工作环境下仍能维持可靠的电气性能。其最大功耗可达125W，配合合适的散热片可在较高环境温度下长期运行。器件的阈值电压范围合理，确保了在不同驱动条件下都能可靠开启，避免误触发或开启延迟问题。此外，FHP7N80具有较强的抗雪崩能力，能够在短时过载或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统鲁棒性。
从制造工艺角度看，FHP7N80采用符合RoHS标准的环保材料封装，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保法规的要求。其TO-220封装形式不仅机械强度高，而且便于安装散热器，适合大功率密度设计。器件的一致性好，批次稳定性强，有利于大规模自动化生产中的良率控制。综合来看，FHP7N80在性能、成本与可靠性之间取得了良好平衡，是中高端开关电源领域中极具竞争力的国产MOSFET解决方案之一。
FHP7N80主要应用于各类需要高耐压、中等电流开关能力的电力电子系统中。最常见的使用场景包括通用交流适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LCD电视及显示器的内置电源模块。在这些设备中，它通常作为主开关管工作于反激式或正激式拓扑结构中，负责将高压直流电通过高频斩波传递至变压器初级侧，实现高效的能量转换。
此外，该器件也广泛用于LED恒流驱动电源，特别是在高压输入的户外照明或商业照明系统中，FHP7N80凭借其高耐压和低导通损耗的优势，能够有效提升驱动效率并降低温升。在工业控制领域，如PLC电源、继电器驱动电路、小型逆变电源中，FHP7N80同样发挥着关键作用。由于其具备良好的动态响应能力和较高的可靠性，也可用于电机控制电路中的低端开关或H桥结构中的部分开关元件。
在家用电器方面，诸如空调、洗衣机、电磁炉等带有开关电源或变频控制单元的产品，也可能采用FHP7N80作为功率开关器件。在太阳能微型逆变器或储能系统的辅助电源模块中，该MOSFET也能胜任高压侧开关任务。总体而言，只要工作电压在600V以上且需要7A左右连续电流能力的应用场景，FHP7N80都是一个经济实用的选择。随着国产芯片技术的进步，越来越多原本采用ST、ON Semi或Infineon等国际品牌MOSFET的设计开始转向使用FHP7N80进行本土化替代，进一步推动了其市场普及率。
KIA7N80
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