型号：IRF421
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：7.7A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：31A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：48nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：1050pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

IRF421具备多项关键特性，使其在中高功率开关应用中表现卓越。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全运行，适用于离线式开关电源和AC-DC转换器等需要直接连接市电的应用场景。其次，该器件采用了优化的沟道设计和场截止技术，实现了0.85Ω的低导通电阻，在保证高电流承载能力的同时显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，IRF421具有较低的栅极电荷（Qg = 48nC），这直接减少了驱动电路所需的能量，从而降低驱动损耗，并支持更高的开关频率操作，有助于减小外围滤波元件的尺寸和成本。其输入和输出电容较小，进一步提升了高频响应能力，减少了开关过程中的重叠损耗。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，最大结温可达150°C，并通过高效的封装设计实现良好的散热性能。TO-220封装不仅机械强度高，而且便于安装散热片，适用于长时间满负荷运行的工业设备。
　　另一个重要特性是其内置的快速体二极管，具有45ns的反向恢复时间，能够有效抑制感性负载关断时产生的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。同时，±30V的宽栅源电压范围增强了对异常电压瞬变的耐受能力，防止因过压导致的栅极氧化层损坏。
　　综上所述，IRF421凭借其高压能力、低导通电阻、快速开关特性以及出色的热和电气可靠性，成为众多电源和功率控制系统中的优选器件。

IRF421广泛应用于多种电力电子领域，尤其适合需要高效、高可靠性的中等功率开关电路。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于反激式、正激式或半桥拓扑结构中作为主开关器件，适用于适配器、充电器、服务器电源等产品，能够有效提升转换效率并降低温升。
　　在DC-DC转换器中，IRF421可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路，特别是在输入电压较高或输出功率较大的场合，其高耐压和低Rds(on)特性可显著减少能量损耗。
　　此外，该器件也常见于电机驱动系统，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，负责控制电流方向和通断，实现精确的速度和位置控制。其快速开关能力和较强的抗浪涌电流特性使其在启停频繁的工业自动化设备中表现出色。
　　在照明应用方面，IRF421可用于LED驱动电源，尤其是在恒流源设计中作为功率开关，确保灯光亮度稳定且无闪烁。其良好的热管理能力也适合密闭灯具环境下的长期运行。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器、电焊机电源模块以及家用电器中的功率控制单元。由于其符合多项国际安全和环保标准，IRF421也被广泛用于工业级和汽车级电子产品中，满足严苛的工作环境要求。

SPW42N60C3
　　IPW60R090C6
　　FQA7P60