时间：2025/4/29 18:58:47
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DMP2100U-7 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用超小型封装设计，适用于需要高效能和低功耗的电路。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，适合在便携式设备、消费类电子、工业控制等领域中使用。其出色的热性能和小尺寸使其成为高密度设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏电流：3.8A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：280pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：DFN3x3-8
DMP2100U-7 提供了非常低的导通电阻以减少传导损耗，从而提高了效率。
其小型 DFN 封装有助于节省 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
此外，该器件还具备优异的开关性能，能够支持高频应用。
由于其较高的电流处理能力和宽广的工作温度范围，它能够在各种严苛环境下保持稳定运行。
该 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理以及电池保护等应用。
特别适合于移动电话、平板电脑、笔记本电脑适配器和其他便携式电子设备中的高效功率转换需求。
同时，它也常被用作同步整流器或开关电源中的关键元件。
DMP2008UFG-7
DMP2009UFG-7
IRLML6402
