类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大漏极电流 (Id)：连续 10A（@25°C）
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.55Ω（@Vgs=10V）
　　栅极电荷 (Qg)：典型值 30nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 或 D2PAK

PMN100EPAX 具有多个显著的技术特性和优势，使其在各种功率应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，最大连续漏极电流为 10A，适用于中等功率级别的应用，如电源适配器、DC-DC 转换器和电机控制电路。其导通电阻 Rds(on) 典型值为 0.55Ω，能够在导通状态下保持较低的功耗，提高系统效率。
　　其次，该器件的栅极电荷 Qg 为 30nC，这一参数决定了其开关速度和驱动能力。较低的 Qg 有助于减少开关损耗，提升整体能效，同时降低了对驱动电路的要求，简化了设计过程。
　　此外，PMN100EPAX 支持 ±20V 的栅源电压，具有较强的抗电压波动能力，确保在各种工况下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应性强，能够在极端温度条件下可靠工作，适合工业和汽车电子等严苛环境的应用。
　　在封装方面，PMN100EPAX 提供 TO-220 和 D2PAK 两种封装形式，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的热稳定性。TO-220 是一种常见的通孔封装，适用于传统 PCB 设计；而 D2PAK 是一种表面贴装封装，适合高密度和自动化生产需求。
　　最后，该 MOSFET 内部集成了多种保护机制，如过温保护和雪崩能量保护，提高了器件在异常工况下的鲁棒性，延长了使用寿命。

PMN100EPAX 的应用领域非常广泛，主要集中在需要高效功率转换和控制的电子系统中。
　　在电源管理方面，该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和电池充电器等设备中，作为主开关或同步整流器，显著提高能效并减小系统尺寸。
　　在电机控制领域，PMN100EPAX 常用于 H 桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的正反转、速度调节等功能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。
　　此外，该 MOSFET 还广泛应用于负载开关和电源分配系统中，用于实现对多个负载的高效控制和隔离，如在服务器、通信设备和嵌入式系统中管理不同模块的供电状态。
　　汽车电子方面，PMN100EPAX 可用于车载充电系统、照明控制、电动窗和座椅调节等应用，满足汽车环境对高可靠性和耐久性的要求。
　　总之，PMN100EPAX 凭借其优良的电气性能和广泛的工作条件适应性，成为多种功率电子系统中的理想选择。

STP10NK10Z, IRF540N, FDPF10N10, NTD10N10C, FDV303N