型号：DMP2066LSS-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT26（SC-74A）
　　通道数：单通道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14.7A
　　导通电阻RDS(on)：33mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　栅极电荷（Qg）：9.4nC（@ VGS = -4.5V）
　　输入电容（Ciss）：400pF（@ VDS = -10V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装

DMP2066LSS-13采用先进的Trench MOSFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一是在-4.5V栅极驱动条件下，RDS(on)仅为33mΩ，这显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提高了系统的整体能效。同时，在更低的-2.5V栅极电压下仍能保持45mΩ的低导通电阻，使得该器件兼容3.3V或更低逻辑电平的控制器，广泛适用于现代低压数字控制系统。该器件的低栅极电荷（Qg=9.4nC）进一步减少了驱动所需的能量，提升了高频开关应用中的效率表现。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和散热能力，得益于SOT26小型封装但优化的引脚布局和内部结构设计，能够在有限的空间内有效传导热量，确保长时间高负载运行下的可靠性。此外，其P沟道特性允许直接用于高边开关配置，无需复杂的栅极驱动电路，如电荷泵或自举电路，从而简化电源架构设计，降低外围元件数量和PCB面积占用。
　　器件还具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够承受一定的瞬态过压和浪涌电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管虽然不是主要功能部分，但在某些同步整流或续流场景中也能提供基本支持。所有这些特性共同使DMP2066LSS-13成为消费类电子产品、移动设备、笔记本电脑电源管理模块以及各类便携式嵌入式系统中理想的功率开关解决方案。

DMP2066LSS-13广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的各种电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的电池供电管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中它常被用作负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的独立上电与断电控制，以优化能耗并延长续航时间。在DC-DC转换器拓扑中，特别是降压（Buck）变换器的高边开关应用中，该器件凭借其低RDS(on)和快速响应能力，有助于提升转换效率并减少发热问题。
　　此外，它也适用于各种低电压电源分配网络（PDN），作为热插拔保护电路或过流切断装置的核心元件，防止短路或浪涌电流对主系统造成损害。在电机驱动、LED背光调节及USB端口电源控制等领域，该MOSFET同样表现出色，因其响应速度快且控制精度高，能够实现精确的电流调控与故障保护机制。
　　工业自动化和通信设备中的信号切换与电源隔离单元也是其重要应用方向。由于其工作温度范围宽（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，因此适用于对可靠性要求较高的嵌入式控制系统。总体而言，DMP2066LSS-13凭借其小尺寸、高性能和易于集成的特点，已成为现代低功耗、高密度电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

DMG2302UK-7
　　SI2302DDS-T1-E3
　　FDC630P