时间：2025/5/13 11:48:52
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IPW65R080CFD 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的高性能 MOSFET 芯片，属于 CoolMOS 系列。该芯片采用先进的工艺制造，专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT）。通过优化的结构设计，该器件在降低导通损耗的同时，也显著减少了开关损耗，从而提高了整体效率。
型号：IPW65R080CFD
制造商：Infineon
类型：N-Channel MOSFET
封装：DPAK (TO-252)
最大漏源电压 VDS：650 V
最大栅极源极电压 VGS：±20 V
最大连续漏电流 ID：4.9 A
导通电阻 RDS(on)：80 mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
总功耗：330 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
开关频率：高达 1 MHz
IPW65R080CFD 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，能够支持高频应用，同时保持较低的开关损耗。
3. 高击穿电压（650V），使其非常适合高压环境下的使用。
4. 具备优秀的热稳定性和可靠性，能够在宽温度范围内正常运行。
5. 内置反向二极管，简化了电路设计并增强了功能集成度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子产品的生产需求。
这些特点使 IPW65R080CFD 成为高效功率转换的理想选择。
IPW65R080CFD 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 电池充电器和逆变器。
4. LED 照明驱动器。
5. 各种需要高效率、高频工作的功率电子设备。
由于其出色的电气特性和热性能，该器件在要求高可靠性和高效能的应用中表现尤为突出。
IPB60R099CFD
IPA60R099PFD
IPP60R099CP
IPP60R099CP_L
IPW60R099CFD
