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AON7422G 发布时间 时间:2025/6/3 21:15:34 查看 阅读:5

AON7422G是由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Super Junction技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等应用中。其封装形式为DFN5x6,具备小尺寸和良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:14.9A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1190pF
  典型阈值电压:2.6V
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AON7422G具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:仅为3.8mΩ,能够有效减少功率损耗。
  2. 小型化设计:采用DFN5x6封装,节省PCB空间。
  3. 高效开关性能:通过优化的Super Junction结构,降低开关损耗。
  4. 高可靠性:支持高温工作环境,额定温度可达150℃。
  5. 快速开关速度:栅极电荷较小,有助于实现高频操作。
  6. 热稳定性强:即使在大电流条件下,也能保持较低的温升。

应用

AON7422G广泛应用于需要高效能和紧凑设计的场景中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 负载开关
  4. 电池管理系统
  5. 工业控制设备
  6. 通信电源模块
  由于其低导通电阻和快速开关能力,这款MOSFET非常适合要求高效率和高密度的电力电子应用。

替代型号

AON7422L, AOTF7422G

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AON7422G参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥1.57348卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2300 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)28W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN