类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　功耗（Pd）：500mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻Rds(on)：最大35mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：最大45mΩ @ Vgs = -2.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值-1V，范围-0.6V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：约220pF @ Vds = 10V
　　输出电容（Coss）：约90pF @ Vds = 10V
　　反向传输电容（Crss）：约30pF @ Vds = 10V
　　开关时间（开启）：约5ns
　　开关时间（关闭）：约15ns

DMP2018LFK-7采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了功率损耗并提高了效率。该器件的最大Rds(on)在Vgs = -4.5V时仅为35mΩ，在Vgs = -2.5V时为45mΩ，这使得它非常适合用于电池供电设备中的负载开关或电源路径控制，能够在低电压条件下实现高效的能量传输。
　　该MOSFET支持逻辑电平驱动，意味着它可以由3.3V甚至更低的控制信号直接驱动，无需额外的电平转换电路。这对于现代嵌入式系统尤其重要，因为许多微控制器和数字逻辑电路都运行在低电压下。同时，其阈值电压典型值为-1V，确保了在较宽的输入电压范围内都能可靠地开启和关断，增强了系统的鲁棒性。
　　封装方面，DMP2018LFK-7采用SOT-23小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且便于自动化装配，有助于降低生产成本。该封装具有良好的散热性能，结合器件本身的低功耗特性，使其能够在紧凑的设计中长时间稳定运行。
　　在可靠性方面，DMP2018LFK-7经过严格的质量测试，符合AEC-Q101汽车级标准（如适用），具备出色的抗静电能力和长期稳定性。其工作结温可达+150°C，适用于严苛环境下的应用，例如工业控制系统、便携医疗设备和消费类电子产品。此外，该器件还具有较低的输入、输出和反向传输电容，有助于减少开关过程中的能量损失，并提升高频工作的能力，适用于高速开关电源和DC-DC转换器等应用。

DMP2018LFK-7因其小尺寸、低导通电阻和逻辑电平驱动能力，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同模块的供电以实现节能管理。
　　在电池管理系统中，该器件可用于过放电保护电路或充放电路径的控制，利用其低Rds(on)特性减少能量损耗，延长电池续航时间。此外，它也常用于负载开关电路，作为微处理器或传感器的供电控制元件，提供快速响应和低静态电流消耗。
　　在DC-DC转换器和同步整流电路中，DMP2018LFK-7可以作为上桥或下桥开关使用，特别是在低电压输入的降压变换器中表现出色。其快速的开关时间和低寄生电容有助于提高转换效率并减少电磁干扰。
　　该器件还可用于各类模拟开关、信号路由和电平转换电路中，替代传统的双极晶体管或机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。在工业自动化设备、测试仪器和通信模块中，DMP2018LFK-7也被用作电源多路复用器或热插拔控制器的关键组件，确保系统在不断电的情况下安全接入或断开外设。
　　由于其符合RoHS环保要求且具备良好的温度稳定性，DMP2018LFK-7同样适用于汽车电子辅助系统，如车载信息娱乐设备、LED照明控制和传感器接口电路等。

DMG2305UX-7
　　AO3401A
　　FDS6670A
　　SI2301-DS