时间：2025/9/14 18:23:58
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PBSS302PD,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了两个NPN晶体管在一个封装中，适用于需要高性能和高可靠性的各种电子应用。其主要特点是高电流承载能力、低饱和电压以及良好的热稳定性，使其非常适合用于功率管理和开关应用。PBSS302PD,115 采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，便于在紧凑的PCB设计中使用。
类型：双极性晶体管（BJT）阵列
晶体管类型：2 x NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
直流电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作条件）
过渡频率（fT）：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1410-6
PBSS302PD,115 是一款具有高性能的双极性晶体管阵列，特别适用于需要高稳定性和紧凑设计的电路。其两个NPN晶体管在单个封装中可以实现独立的开关或放大功能，同时减少电路板上的元件数量和空间占用。晶体管的低饱和电压（VCE(sat)）确保了在开关操作中的低功率损耗，提高了整体效率。
该器件的高电流增益（hFE）范围使其适用于广泛的放大应用，包括音频放大和信号处理。此外，100 MHz的过渡频率（fT）使其能够在高频应用中使用，如射频信号放大和高速开关。
PBSS302PD,115 的DFN封装不仅体积小，还提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高电流条件下的稳定性和可靠性。这种封装还具有良好的机械强度，适用于自动化装配流程。
该晶体管的宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够适应各种严苛的环境条件，包括汽车电子和工业控制系统。
PBSS302PD,115 适用于多种电子应用，包括信号放大、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及模拟和数字电路中的通用用途。由于其高可靠性和紧凑封装，该器件广泛应用于消费类电子产品、汽车电子、工业控制设备以及通信系统。
BC847系列, BC807系列, 2N3904, MMBT3904
