时间：2025/12/29 14:37:38
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APG1608SYKC/T 是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术制造，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。APG1608SYKC/T采用SOT23-6小型封装，适合高密度PCB布局，且符合RoHS环保标准。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：80mΩ（典型值）
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT23-6
APG1608SYKC/T MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，使得其在小尺寸封装下仍具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力。该器件在4A连续漏极电流下工作时，能够保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，其SOT23-6封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。APG1608SYKC/T还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，降低开关损耗。
该MOSFET在栅极驱动方面具有良好的稳定性，能够在±12V栅源电压范围内可靠工作，避免因过高的栅极电压导致器件损坏。同时，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种恶劣工作环境。器件的高可靠性和优异的热稳定性使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
APG1608SYKC/T MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 电源管理模块，如DC-DC降压/升压转换器
? 电池供电设备中的负载开关和电源切换
? 便携式电子设备中的电源控制电路
? 电机驱动电路和H桥控制
? 工业自动化控制系统中的功率开关
? LED驱动电路和电源适配器
Si2302DS、AP2302GM、AO3400A、FDN340P、TPC8104-H
