DMP2004K是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。它适合在高频开关应用中使用,并能够提供高效的功率转换。
型号:DMP2004K
类型:N-Channel MOSFET
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5V~3V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
最大漏源电压Vds:30V
最大连续漏电流Id:16A
最大栅极源极电压Vgs:±20V
功耗Pd:27W(在Tc=25℃时)
结温范围:-55℃ to +150℃
封装形式:SOT-23
DMP2004K具有以下特点:
1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高度稳定的电气参数,在宽温度范围内表现良好。
4. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间。
5. 支持大电流操作,适用于多种负载条件。
6. 具备优良的抗ESD能力,提高了产品的可靠性。
这些特性使得DMP2004K成为众多便携式电子设备和工业控制系统的理想选择。
DMP2004K广泛用于以下领域:
1. 便携式电子设备中的负载开关和电池管理。
2. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
3. LED照明电路中的恒流驱动。
4. 工业自动化设备中的电机驱动与保护。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换功能。
DMP2004K凭借其出色的性能和可靠性,成为了许多设计工程师首选的MOSFET器件。
DMN2004UFH, PSMN022-30YL, AO3400