时间：2025/6/30 18:08:53
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CKC21C563FCGACAUTO 是一款高性能的汽车级功率 MOSFET 芯片，主要用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。
这款器件支持高电流密度，并具备出色的热稳定性和耐用性，能够在严苛的汽车环境中可靠工作。其封装形式经过优化设计，能够有效降低寄生电感和提高散热效率。
型号：CKC21C563FCGACAUTO
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：95A
VGS(th)（栅极开启电压）：2.5V~4.5V
功耗：175W
工作温度范围：-40℃~175℃
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
符合标准：AEC-Q101
1. 低导通电阻 RDS(on)，可显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高耐压能力（60V），适用于多种汽车电子系统的供电需求。
3. 快速开关性能，能够适应高频 PWM 控制场景。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件在复杂电磁环境下的可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在极端温度和振动条件下的稳定性。
6. 支持大电流输出（最高达 95A），适合驱动高功率负载。
7. 紧凑型封装设计，便于 PCB 布局与散热管理。
1. 汽车电动助力转向系统（EPS）中的电机驱动电路。
2. 汽车空调压缩机控制模块。
3. 车载 DC/DC 转换器及逆变器设计。
4. 汽车启动马达和发电机接口保护。
5. 各类车载电子负载的开关控制，例如车灯、雨刷和座椅加热等功能。
6. 新能源汽车的动力电池管理系统（BMS）中的功率分配组件。
CKC21C565FCGAC, IRF540N, FDP55N06L
