时间：2025/12/26 8:52:31
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DMP1245UFCL-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在小型化的DFN1006-3L（也称为Super MiniMelf）封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限的便携式电子产品。其额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-1.9A（在VGS = -4.5V条件下），适合用于负载开关、电池供电设备中的电源控制以及信号切换等场景。
DMP1245UFCL-7因其超小尺寸和高功率密度，在智能手机、可穿戴设备、物联网终端和其他对PCB面积要求严格的现代电子系统中得到了广泛应用。此外，该MOSFET具备良好的栅极抗静电能力，并符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足工业级工作温度范围（-55°C至+150°C）。
型号：DMP1245UFCL-7
通道类型：P沟道
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGSS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-1.9A @ VGS = -4.5V
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.3A
导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：105mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：280pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
反向传输电容(Crss)：5pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
输出电容(Coss)：210pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
开启时间(Td_on)：3ns
关闭时间(Td_off)：7ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN1006-3L (Super MiniMelf)
安装类型：表面贴装(SMT)
DMP1245UFCL-7采用了先进的Trench MOSFET结构与优化的单元设计，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时典型值仅为85mΩ，显著降低了导通损耗，提升了系统能效。这种低RDS(on)特性使其特别适用于电池供电设备中的电源路径控制，如智能手表、TWS耳机和移动医疗设备，有助于延长电池续航时间。同时，由于其P沟道配置，在用作高边负载开关时无需额外的电荷泵电路即可实现完整的电压关断功能，简化了外围设计并节省了成本。
该器件的小型DFN1006-3L封装仅有1.0mm x 0.6mm的占位面积和约0.38mm的高度，非常适合超紧凑型PCB布局，支持高密度组装。封装底部设有散热焊盘，能够有效将热量传导至PCB地层，从而提高功率处理能力和长期可靠性。此外，器件具有良好的栅极氧化层质量，具备较高的栅源电压耐受能力（±8V），并在生产过程中经过严格测试以确保ESD防护性能，HBM模型下可达±2000V，增强了现场操作和焊接过程中的鲁棒性。
DMP1245UFCL-7的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于消费类和工业类混合应用场景。其开关速度较快，输入电容低至280pF，配合快速的开启与关闭时间（分别为3ns和7ns左右），可在高频开关操作中表现出色，适用于DC-DC转换器中的同步整流或信号路由切换。整体来看，这款MOSFET结合了高性能、小尺寸与高可靠性的优势，是现代微型化电子产品中理想的功率开关选择。
DMP1245UFCL-7广泛应用于各类便携式和微型化电子设备中，主要用于电源管理领域的负载开关、电池供电系统的电源通断控制、低电压DC-DC转换器中的同步整流元件以及信号路径切换等功能模块。典型应用包括智能手机和平板电脑中的外设电源隔离、TWS真无线耳机的充电盒电源管理、智能手环与可穿戴健康监测设备的节能开关电路、物联网传感器节点的待机功耗控制等。此外，该器件也可用于固态开关替代机械继电器，在需要静音操作和长寿命的场合发挥优势。由于其优异的热性能和小型封装，还常被集成在模块化电源解决方案或高度集成的PMU（电源管理单元）周边电路中，提供高效的局部电源调控能力。在工业和汽车电子领域，该MOSFET可用于摄像头模组、车载信息娱乐系统的辅助电源控制等对空间敏感的应用场景。
DMG1015UFG-7
DMP2005UFG-7
AOZ5301AQI-02
