类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：900V
　　漏极电流(Id)：3A
　　导通电阻(RDS(on))：1.2Ω（最大）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(PD)：83W
　　输入电容(Ciss)：1000pF（典型值）

CS3N90A31R-G具备多项高性能特性，适用于各种高功率应用环境。首先，该MOSFET具有高达900V的漏源击穿电压(VDS)，能够承受高电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，其最大漏极电流为3A，足以支持中等功率的开关应用。
　　该器件的导通电阻(RDS(on))最大为1.2Ω，这一低值有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，CS3N90A31R-G的栅极阈值电压范围为2V至4V，使其能够兼容多种驱动电路，包括标准的5V逻辑控制电路。
　　在热性能方面，该MOSFET具有良好的散热能力，TO-220封装设计有助于快速将热量传导至外部散热器，从而确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。其最大功率耗散为83W，表明其具备较高的热稳定性。
　　CS3N90A31R-G的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。输入电容(Ciss)的典型值为1000pF，使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。

CS3N90A31R-G广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其适合高压和中等电流的应用场景。常见的应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。
　　在电源管理系统中，CS3N90A31R-G可以用于构建高效的功率因数校正(PFC)电路和反激式转换器。其高耐压能力使其成为高压电源适配器、工业电源模块和UPS不间断电源系统中的理想选择。
　　此外，该MOSFET也适用于各种电机控制应用，例如风扇控制、泵类控制和小型电机驱动系统。其低导通电阻和良好的热性能确保电机驱动系统的高效运行，并减少发热问题。
　　在汽车电子领域，CS3N90A31R-G可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动工具驱动电路。其宽广的工作温度范围确保其在高温环境下仍能稳定工作。

STW20NM90, FCP90N30L, FDPF90N30