时间：2025/7/7 9:51:21
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DMN66D0LT-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用小型化的DFN2020-6封装，适合在空间受限的应用中使用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于各种高效能开关应用，如负载开关、同步整流器和DC-DC转换器等电路。该型号工作电压范围宽，最大漏源极电压可达30V，并具备出色的电流处理能力。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：6.4A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
总功耗(Ptot)：0.5W
栅极电荷(Qg)：6nC
输入电容(Ciss)：950pF
输出电容(Coss)：80pF
反向恢复时间(trr)：17ns
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
DMN66D0LT-7具有超低的导通电阻，仅为18mΩ，这有助于降低功率损耗并提升系统效率。同时，其快速开关性能（反向恢复时间17ns）可减少开关损耗，在高频应用中表现尤为突出。
该器件采用无引脚DFN2020-6封装，不仅节省了PCB空间，还增强了散热性能。此外，其高雪崩能力和坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠性。
DMN66D0LT-7支持高达6.4A的连续漏极电流，能够满足大多数电源管理应用的需求。并且，它的栅极驱动要求较低，便于与微控制器或专用驱动芯片配合使用。
这款MOSFET适用于多种电子设备中的开关和保护功能。常见的应用场景包括：
1. 消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
2. 同步整流器，用于提高DC-DC转换器的效率。
3. 电池管理系统中的保护开关。
4. LED驱动器中的电流控制开关。
5. 各种便携式设备中的功率调节和分配电路。
由于其紧凑的封装形式和高效性能，DMN66D0LT-7特别适合需要高密度集成和低功耗的现代电子产品。
DMN66D0LTT-7
DMN66D0LHT-7
