时间：2025/6/22 9:00:26
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DMN62D0UT 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用微型 UT-DFN33-2 (SOT1228) 封装。该器件适用于低电压和低功耗应用，具有极低的导通电阻以及出色的开关性能，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及其他需要高效功率管理的应用场景。
DMN62D0UT 的设计使其能够承受高电流负载，并在各种条件下提供稳定的性能表现。
类型：N沟道 MOSFET
封装：UT-DFN33-2 (SOT1228)
VDS（漏源电压）：20V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在 VGS=4.5V 时）
VGS(th)（阈值电压）：1.2V~2.4V
ID（连续漏极电流）：17A
栅极电荷：1.9nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
DMN62D0UT 提供了非常低的 RDS(on)，这有助于减少传导损耗并提高效率，特别是在电池供电的便携式设备中。此外，其紧凑的封装形式使得它成为空间受限应用的理想选择。
该 MOSFET 支持快速开关操作，从而减少开关损耗。同时具备良好的热稳定性和可靠性，可以适应较宽的工作温度范围。另外，由于其低栅极电荷，驱动器的能量消耗也得到了显著降低。
DMN62D0UT 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电池管理电路
4. 电机驱动
5. 照明控制（如 LED 驱动）
6. 便携式设备中的负载开关
这些应用得益于 DMN62D0UT 的高效功率传输能力和小尺寸封装特点，能够满足现代电子系统对高效率和小型化的需求。
DMN62DUH, DMN62D0UHT-13, DMN62D0EF
