型号：CT75AM-12
　　封装类型：SMA
　　二极管配置：共阴极双二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：12V
　　最大直流阻断电压（VR）：12V
　　最大RMS电压（VRMS）：8.5V
　　最大平均整流电流（IO）：7.5A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：60A
　　正向压降（VF）：典型值0.43V（在3.75A时），最大值0.5V（在3.75A时）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在12V、25°C时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

CT75AM-12的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统PN结，因此具备极低的正向导通压降。在典型工作条件下（如3.75A电流下），其正向压降仅为0.43V，最高不超过0.5V，远低于普通硅整流二极管的0.7V以上压降。这一特性使得器件在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提升整体能效并减少散热需求。尤其在低压大电流的应用场景中，例如5V或3.3V输出的DC-DC转换器中，这种低VF特性可有效改善电源效率，延长电池寿命。
　　另一个关键特性是其极快的反向恢复时间，典型值仅为5ns。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰。这不仅减少了开关损耗，还降低了电磁干扰（EMI），使CT75AM-12非常适合用于高频整流、同步整流替代以及开关模式电源（SMPS）中的续流或箝位电路。同时，其高达7.5A的平均整流电流能力使其能够支持中等功率负载，满足多种电源设计的需求。
　　该器件采用SMA表面贴装封装，具有较小的占板面积和良好的热传导性能。引脚设计兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产。其工作结温范围宽达-55°C至+125°C，确保在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，器件具备60A的峰值非重复浪涌电流承受能力，可在瞬态过流条件下提供一定保护，增强了系统的鲁棒性。总体而言，CT75AM-12凭借其低VF、快恢复、高电流能力和紧凑封装，在现代高效电源系统中扮演着重要角色。

CT75AM-12广泛应用于需要高效低压整流的电子系统中。典型应用之一是作为DC-DC转换器中的输出整流二极管，尤其是在降压型（Buck）拓扑中，用于续流或同步整流辅助功能。由于其低正向压降特性，能够显著减少能量损耗，提升转换效率，特别适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。
　　在电池充电管理系统中，CT75AM-12可用于防止电池反向放电或实现多电源路径管理。其共阴极双二极管结构允许两个输入电源独立供电，并自动选择较高电压的一路进行输出，常用于主辅电源切换或USB/适配器双输入设计。
　　此外，该器件也常见于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块。在这些环境中，电源电压通常为12V左右，CT75AM-12的12V额定电压恰好匹配系统需求，同时其快速响应能力有助于抑制电压瞬变带来的影响。
　　在工业控制和通信设备中，CT75AM-12可用于信号整流、电压箝位和反极性保护电路。其高频特性使其适用于PWM控制电机驱动中的续流路径，避免感性负载关断时产生的高压损坏MOSFET或IC。总之，该器件适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压大电流整流场合。

MBR7512PT
　　SBM7512LMC
　　SDM7512