时间：2025/8/6 9:56:11
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IXFN75N50 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高电流和高效率的开关应用而设计，广泛应用于电源、电机驱动、逆变器以及各种工业控制设备中。其主要优势在于其高耐压能力（500V）、低导通电阻（Rds(on)）以及卓越的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：75A
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
晶体管配置：单管
IXFN75N50 拥有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的最大漏源电压（Vds）高达 500V，能够承受高电压应力，适用于高压开关电路。其次，其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少散热需求。此外，该器件的最大漏极电流为 75A，能够支持大电流负载，如电机驱动、直流-交流逆变器等。
IXFN75N50 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。其最大功耗为 300W，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该 MOSFET 还具有较高的栅极阈值电压（Vgs(th)），通常在 2~4V 范围内，使得其在驱动时具有较强的抗干扰能力。此外，±20V 的栅源电压耐受能力允许使用多种驱动电路方案，增强了其在不同应用中的兼容性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的温度稳定性，适用于工业级环境和恶劣工况下的长期运行。
IXFN75N50 主要应用于需要高电压、高电流和高效率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，作为主开关器件用于提高电源转换效率；在电机驱动器和逆变器中，作为功率开关控制电机的转速与方向；在太阳能逆变器和UPS系统中，用于将直流电转换为交流电，确保稳定供电。
此外，该 MOSFET 也可用于电焊机、感应加热设备和电动车辆的电源管理系统中。由于其具备良好的热管理和高可靠性，因此非常适合长时间运行的工业设备和高可靠性要求的应用场景。
在设计中，IXFN75N50 可以与其他功率器件配合使用，例如整流桥、电感和电容等，构成完整的功率转换电路。同时，其低导通电阻和高开关速度特性也使其适用于高频开关应用，从而减小磁性元件的体积，提高整体系统效率。
IRF75N50、SPW75N50C3、STF75N50、IXFH75N50
