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IS42S32800D-75ETLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:39:39 查看 阅读:21

IS42S32800D-75ETLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于同步DRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)系列。该器件具有高容量、高速访问和低功耗等特点,适用于需要大量数据存储和快速读写操作的嵌入式系统和工业设备。

参数

容量:256Mb
  组织结构:32M x 8
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  访问时间:7.5ns
  接口类型:并行同步接口
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  时钟频率:最高可达166MHz

特性

IS42S32800D-75ETLI具有多个优良特性,以满足高性能系统设计的需求。首先,其高速访问时间(7.5ns)和高达166MHz的时钟频率,使得该芯片能够实现快速的数据读写操作,适用于对时序要求严格的应用场景。其次,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低系统功耗,延长数据保存时间,特别适合电池供电或低功耗应用。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源管理系统,提升了设计的灵活性。
  该芯片采用TSOP封装,具有良好的热稳定性和机械可靠性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适合在各种严苛环境下运行。IS42S32800D-75ETLI的并行同步接口支持与高速处理器或FPGA的无缝连接,提高系统整体性能。其高容量(256Mb)和8位数据总线宽度,使其适用于图像处理、工业控制、网络设备等需要大容量缓存的应用。

应用

IS42S32800D-75ETLI广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括工业控制主板、网络路由器与交换机、视频采集与处理系统、医疗成像设备以及高可靠性工业自动化控制系统。此外,该芯片也适用于需要高性能缓存的通信模块、测试与测量设备以及车载电子系统。

替代型号

IS42S32800D-75ETLF、IS42S32800G-75ETLI、IS42S32800J-75ETLI

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IS42S32800D-75ETLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率133 MHz
  • 访问时间5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流180 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量240