时间：2025/8/25 4:07:43
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FDD6792 是一款由 Fairchild Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP6
FDD6792 的核心特性在于其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 85mΩ，而在 4.5V 下也保持在 120mΩ 的较低水平，这意味着它可以在较低的栅极电压下仍保持良好的导通性能，适用于多种电源管理系统。
此外，FDD6792 采用 TSOP6 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。其高栅极电压耐受能力（±20V）使其在使用过程中具备更高的安全裕量，避免因瞬态电压波动导致的损坏。
该 MOSFET 具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高转换效率。同时，其热阻较低，有助于在高负载条件下有效散热，提升器件的长期可靠性。在工业和消费类电子产品中，FDD6792 常用于负载开关、同步整流和 DC-DC 转换器等高频功率转换电路中。
FDD6792 主要用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高效率的特性也使其成为电源管理 IC（PMIC）中的理想选择。
FDN340P, FDS6680, AO4406
