型号：IRG4BC30S-STRR
　　制造商：Infineon Technologies
　　系列：CoolMOS? C3
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：7.7A（Tc=100°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：30.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：280mΩ（最大值，@ VGS = 10V, ID = 3.85A）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V（典型值约3.7V）
　　栅极电荷（Qg）：57nC（典型值，@ VDS = 480V, ID = 7.7A）
　　输入电容（Ciss）：1150pF（@ VDS = 50V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = 50V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极弱体二极管，不推荐用于续流应用
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　安装类型：通孔（Through-Hole）

IRG4BC30S-STRR的核心优势在于其采用的CoolMOS? C3超结技术，这项技术通过精确控制P型和N型掺杂区域的交替排列，在垂直结构中实现电荷平衡，从而大幅降低单位面积下的导通电阻，同时维持650V的高击穿电压。这种结构优化使得器件在相同封装尺寸下比传统平面型MOSFET具有更高的功率处理能力和更低的能量损耗。特别是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，IRG4BC30S-STRR表现出卓越的效率表现，能够显著降低系统满载时的温升，延长设备寿命。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这直接减少了驱动电路所需的能量，并允许更高的开关频率操作，有助于减小滤波元件的体积和成本。同时，其输出电容较小，进一步降低了开关过程中的能量损耗，尤其在硬开关拓扑如双管正激、LLC谐振变换器或有源钳位反激中表现出色。此外，由于其动态性能优异，能够在快速开关过程中保持稳定的电压和电流响应，避免了因寄生参数引起的振荡或过电压问题。
　　IRG4BC30S-STRR还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不损坏，提高了系统的鲁棒性和可靠性。其热阻特性也经过优化，从结到外壳的热阻（RthJC）约为1.2°C/W，配合合适的散热片可有效将热量传导至外部环境，确保长时间稳定运行。器件的栅氧化层经过严格工艺控制，具备高可靠性的长期耐压能力，适用于严苛工业环境下的持续工作。最后，该器件经过老化筛选和可靠性测试，符合AEC-Q101标准的部分应力测试要求，体现出英飞凌在功率半导体领域的高质量制造水平。

IRG4BC30S-STRR广泛应用于各类高效开关电源系统中，尤其是在需要高功率密度和高转换效率的场景下发挥重要作用。典型应用包括通信基站电源、数据中心服务器电源、工业自动化电源模块以及太阳能微型逆变器等。在功率因数校正（PFC）级电路中，无论是升压型（Boost PFC）还是图腾柱PFC拓扑，该器件都能提供出色的动态响应和低损耗表现，帮助系统满足80 PLUS钛金等级或类似高能效标准的要求。
　　此外，该器件也常用于离线式AC-DC转换器中作为主开关管，例如在单端反激（Flyback）、双管正激（Forward）或半桥LLC谐振变换器中承担能量传递任务。得益于其高耐压能力和优良的开关特性，IRG4BC30S-STRR可以在宽输入电压范围内稳定工作，适应不同国家和地区的电网条件，适用于全球出口型电源产品设计。
　　在新能源领域，该器件可用于小型光伏逆变器中的DC-DC升压环节，将太阳能板输出的低压直流电高效提升至母线电压水平，再交由逆变部分转换为交流电并入电网。其低温漂特性和稳定的RDS(on)随温度变化曲线，确保在户外高温环境下仍能保持良好性能。同时，该器件也被用于电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源或低功率段主变换器中，支持轻量化和高集成度设计需求。工业电机驱动、UPS不间断电源系统以及高端LED驱动电源也是其重要应用场景之一。

IPD90N65C3
　　SPW47N60C3
　　STF16N60M2
　　FCH65N60NF