时间：2025/7/8 20:05:14
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DMN6068SE-13 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该器件采用小型化的 PowerPAK? 1212-8 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于消费电子、通信设备以及工业控制中的负载开关、DC-DC 转换器和电池管理等应用。
这款 MOSFET 的设计旨在降低功耗并提高效率，同时支持高频工作环境下的稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：145pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN6068SE-13 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够满足高频应用需求。
3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 高可靠性，在恶劣环境下仍能保持良好的性能。
5. 支持宽温度范围操作，适应多种工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色设计要求。
DMN6068SE-13 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式设备的电源管理模块。
3. DC-DC 转换器和多相 VRM（电压调节模块）。
4. 固态硬盘 (SSD) 和其他存储设备中的电源控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
6. 各种电池供电系统的保护电路。
7. LED 照明驱动器中的高效开关元件。
DMN6068S-13, DMN6068LSE-13
