时间：2025/4/27 17:32:49
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BSS84P 是一种 N 沟道小信号 MOSFET，属于 SOT-23 封装。该器件主要用于开关和负载驱动应用，具有低漏电流、高开关速度和出色的稳定性。它适用于需要低功耗和高效能的电路设计。BSS84P 通常被用作通用开关元件，在便携式设备、消费类电子产品和其他低功率应用中非常常见。
BSS84P 的特点包括高击穿电压和低导通电阻，这使得它在各种电子应用中表现优异，尤其是在电池供电的系统中。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：0.15A
脉冲漏极电流：0.3A
栅极电荷：1nC
导通电阻（典型值）：6.5Ω
总功耗：270mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
BSS84P 是一款高性能的小信号 MOSFET，其主要特性如下：
1. 高击穿电压（可达 50V），适合多种低压应用场景。
2. 极低的漏电流（在 Vgs=0V 和 Vds=20V 下典型值为 1nA），有助于减少静态功耗。
3. 快速开关性能，能够支持高频操作。
4. 小型化的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间。
5. 可靠性高，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
6. 低导通电阻降低了导通时的功率损耗，提升了效率。
这些特性使 BSS84P 成为许多低功率电路的理想选择，特别是在需要小型化和低功耗的应用中。
BSS84P 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 数据通信和网络设备中的信号切换。
4. 各种消费类电子产品中的保护电路和逻辑电平转换。
5. 手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
由于其高可靠性和低功耗特点，BSS84P 在需要长续航时间的设备中尤为适用。
BSS84
PMV40UN
AO3401A
