时间：2025/8/2 4:33:12
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DMN6022SSS-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效能、低电压应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性。其采用 SOT26 封装形式，适合用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。DMN6022SSS-13 常见于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：5.0A
最大漏极-源极电压 (Vds)：60V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 Rds(on)：@Vgs=10V 时为 22mΩ；@Vgs=4.5V 时为 32mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26
DMN6022SSS-13 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在 Vgs=10V 的条件下，Rds(on) 仅为 22mΩ，而在 Vgs=4.5V 时也能保持在 32mΩ，这使得它在中低电压应用中表现优异。
此外，该器件具有较高的最大漏极电流（5A）和 60V 的最大漏极-源极电压耐受能力，使其能够胜任中等功率水平的开关任务。栅极-源极电压范围为 ±20V，允许使用较高的栅极驱动电压以实现更快速的开关动作，同时具备良好的抗过压能力。
DMN6022SSS-13 采用 SOT26 小型封装形式，具有良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型电路板设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，可在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
DMN6022SSS-13 广泛应用于多种电源管理与功率控制场合。由于其低导通电阻和高电流能力，常被用于同步整流、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关以及电池管理系统中。
SI2302DS, FDN340P, AO3400A, BSS138K
