时间：2025/8/5 20:45:19
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IXTH21N60 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压、高电流应用，具备优异的热性能和可靠性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。IXTH21N60 采用 TO-247 封装，便于安装在散热器上以提高散热效率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：600V
栅源电压 VGS：±20V
最大连续漏极电流 ID：21A
导通电阻 RDS(on)：典型值 0.25Ω
功耗 PD：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXTH21N60 是一款具有高耐压和高电流能力的功率 MOSFET，其导通电阻低，能够在高负载条件下保持较低的导通损耗。该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和抗短路能力。
此外，IXTH21N60 具有快速开关特性，使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。其封装设计（TO-247）具有良好的散热性能，适用于需要高效热管理的应用场景。
该 MOSFET 还具有较高的 dv/dt 耐受能力，能够在快速开关过程中保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，便于与多种驱动电路兼容。
IXTH21N60 还具有较高的可靠性，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在恶劣环境下稳定工作。该器件还具有较低的漏电流，在高温下也能保持良好的关断特性。
IXTH21N60 主要应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、逆变器、电焊机、感应加热设备和工业自动化控制系统。此外，它也可用于电动汽车（EV）充电系统和太阳能逆变器等新能源应用领域。
IXTH24N60C2, FCP21N60, STP20N60, IRFPG50
