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DMN5L06WK-7 发布时间 时间:2025/5/19 11:55:17 查看 阅读:3

DMN5L06WK-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT23-3 封装形式,适合于空间受限的应用场景。其设计目标是为低电压、高效率的开关应用提供支持,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
  该器件的最大额定电压为 60V,能够满足多种低压电路的需求,并且具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而提高了整体系统的效率和散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻(Rds(on)):180mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 下测量)
  栅极阈值电压:1.2V 至 3V
  总功耗:450mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT23-3

特性

DMN5L06WK-7 的主要特性包括以下几点:
  1. 超低导通电阻:在特定的工作条件下,器件的导通电阻非常低,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 逻辑电平驱动:该 MOSFET 支持低至 1.2V 的栅极开启电压,因此可以与现代微控制器或逻辑电路直接连接,无需额外的驱动电路。
  3. 高可靠性:通过严格的筛选和测试流程,确保器件在恶劣环境下仍能稳定运行。
  4. 小型化封装:采用 SOT23-3 封装,适合于对 PCB 空间要求较高的紧凑型设计。
  5. 宽工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内正常工作,适应各种应用场景。
  6. 快速开关速度:由于输入电容较小,器件具备快速的开关能力,适用于高频应用场合。

应用

DMN5L06WK-7 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关管或同步整流管使用。
  2. 直流电机驱动:用于控制小型直流电机的启停、调速等操作。
  3. LED 驱动器:在恒流源电路中用作输出级开关。
  4. 电池管理:在保护电路中实现过流、短路保护等功能。
  5. 负载开关:用于动态地接通或断开负载,降低待机功耗。
  6. 工业自动化:在各种传感器接口、信号切换电路中发挥重要作用。

替代型号

DMN5L06WKT-7, DMN5020UFQ-7, PMV20EN

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DMN5L06WK-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN5L06WKDITR