DMN5L06WK-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT23-3 封装形式,适合于空间受限的应用场景。其设计目标是为低电压、高效率的开关应用提供支持,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
该器件的最大额定电压为 60V,能够满足多种低压电路的需求,并且具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而提高了整体系统的效率和散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻(Rds(on)):180mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 下测量)
栅极阈值电压:1.2V 至 3V
总功耗:450mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT23-3
DMN5L06WK-7 的主要特性包括以下几点:
1. 超低导通电阻:在特定的工作条件下,器件的导通电阻非常低,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 逻辑电平驱动:该 MOSFET 支持低至 1.2V 的栅极开启电压,因此可以与现代微控制器或逻辑电路直接连接,无需额外的驱动电路。
3. 高可靠性:通过严格的筛选和测试流程,确保器件在恶劣环境下仍能稳定运行。
4. 小型化封装:采用 SOT23-3 封装,适合于对 PCB 空间要求较高的紧凑型设计。
5. 宽工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内正常工作,适应各种应用场景。
6. 快速开关速度:由于输入电容较小,器件具备快速的开关能力,适用于高频应用场合。
DMN5L06WK-7 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关管或同步整流管使用。
2. 直流电机驱动:用于控制小型直流电机的启停、调速等操作。
3. LED 驱动器:在恒流源电路中用作输出级开关。
4. 电池管理:在保护电路中实现过流、短路保护等功能。
5. 负载开关:用于动态地接通或断开负载,降低待机功耗。
6. 工业自动化:在各种传感器接口、信号切换电路中发挥重要作用。
DMN5L06WKT-7, DMN5020UFQ-7, PMV20EN