时间：2025/9/12 12:14:18
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KF13N50F是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高效率、高频开关场景。该器件采用了先进的高压工艺技术，具备较高的耐压能力与较低的导通电阻。KF13N50F封装形式通常为TO-220或TO-3PN，适用于多种工业和消费类电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.45Ω
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
KF13N50F具备出色的开关性能和导通特性，其主要优势在于低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高电压应用中表现稳定，能够承受高达500V的漏源电压，适用于各种高耐压需求的电路设计。
此外，KF13N50F具有较高的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠工作，适用于高功率密度的电源系统。其封装形式（如TO-220）便于散热设计，适用于需要良好热管理的电路应用。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小外围电路的体积，提高电源系统的整体效率。同时，KF13N50F的栅极驱动特性较为温和，对驱动电路的要求相对较低，便于设计和使用。
在可靠性方面，KF13N50F通过了多项工业级测试，具备良好的抗冲击和抗振动能力，适用于工业控制、家电电源、照明系统以及电机驱动等复杂工作环境。
KF13N50F主要应用于开关电源（如AC-DC转换器）、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动电路、UPS不间断电源、电池管理系统以及各种高电压、中等电流的功率开关场合。由于其良好的性能和稳定性，也广泛用于工业自动化设备、家用电器和通信设备的电源模块中。
IRF740, 13N50C, FQA13N50C, KF14N50F
