时间：2025/12/23 21:08:32
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DMN4800LSSL 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沱道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 SOT23 封装，具有小型化和高效能的特点，适用于多种低压应用。DMN4800LSSL 在便携式设备、电源管理电路以及信号切换等场景中表现出色。
类型：N 沱道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：20 V
最大栅源电压 (Vgs)：±8 V
连续漏极电流 (Id)：1.2 A
导通电阻 (Rds(on))：100 mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗 (Ptot)：420 mW
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT23
DMN4800LSSL 提供了低导通电阻特性，这使其在开关过程中损耗较小，效率更高。
其小尺寸 SOT23 封装非常适合空间受限的应用环境。
该器件的高开关速度和稳定性使得它能够胜任复杂的电源管理和信号切换任务。
同时，它具备良好的热性能，确保在较高温度下也能稳定运行。
DMN4800LSSL 的设计符合 RoHS 标准，环保且可靠。
DMN4800LSSL 广泛应用于消费电子领域中的电源管理模块，如手机、平板电脑和其他便携式设备。
它可以用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及 LED 驱动等场合。
此外，该器件还适合用作信号切换元件，例如在音频信号路由或数据传输路径控制中。
DMN2990LSS、BSS138PW、2N7002K
