时间：2025/9/7 14:39:42
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2SK580L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用和功率放大电路。该器件采用TO-220封装，具有良好的导热性能和较高的可靠性。该晶体管在电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及音频放大器等应用中广泛使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：8A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
2SK580L 具备低导通电阻和高电流承载能力，这使其在高频开关应用中表现出色，减少了功率损耗和发热。此外，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压电源系统。该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，同时具备快速开关特性，适用于需要高频操作的电源转换器和功率放大器。2SK580L的TO-220封装形式便于安装和散热设计，适用于通用电子设备的制造和维修。
该器件还具备良好的抗静电性能和稳定的栅极控制特性，能够有效防止因静电放电引起的损坏。其栅极驱动要求较低，适合与多种控制IC配合使用，广泛用于电源管理、马达控制、LED驱动以及开关电源等应用中。由于其高可靠性和性能稳定，2SK580L也常被用于工业自动化设备和消费类电子产品中。
2SK580L 主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器、音频功率放大器、电池充电器以及各种功率控制电路。它适用于需要高耐压、中等电流输出的场合，是工业控制、家电和消费电子产品中的常用元件。
2SK1318, 2SK2545, IRF840, 2SK1529
