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HY62U8100BLLST-85I 发布时间 时间:2025/9/1 22:02:07 查看 阅读:6

HY62U8100BLLST-85I是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Hynix Semiconductor制造。该型号属于高速异步SRAM类别,适用于需要快速数据存取和可靠存储性能的应用。其容量为1Mbit(128K x 8),采用标准的异步接口,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),因此非常适合工业控制、网络设备和通信系统等要求严苛的环境。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电源电压:3.3V(典型值)
  访问时间:8.5ns
  封装类型:TSOP(Thin Small-Outline Package)
  温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  工作模式:异步模式
  输入/输出接口:8位数据总线
  封装引脚数:54-pin
  最大工作频率:约117MHz(基于访问时间计算)

特性

HY62U8100BLLST-85I具备多个关键特性,以确保其在高性能系统中的可靠性与效率。首先,其高速访问时间(8.5ns)允许快速数据读写操作,适用于对延迟敏感的应用。该芯片的1Mbit存储容量(128KB)适合中等规模的缓存或快速存储应用。电源电压为3.3V,与许多现代数字系统兼容,降低了功耗并提高了能效。
  此外,该SRAM芯片采用TSOP封装,不仅有助于提高封装密度,还能减少封装尺寸,适用于空间受限的设计。工业级温度范围确保其在极端环境条件下仍能稳定运行,适用于工业自动化、嵌入式系统和通信设备。
  由于其异步接口设计,HY62U8100BLLST-85I无需外部时钟信号即可进行数据传输,简化了时序控制,使得设计更加灵活且易于实现。同时,SRAM的非易失性读写特性保证了数据在运行过程中不会丢失,提高了系统的稳定性。

应用

HY62U8100BLLST-85I广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中。其典型应用包括工业控制设备中的高速缓存、网络交换机和路由器中的数据缓冲、嵌入式系统的临时数据存储、通信设备中的协议处理缓存,以及测试测量设备中的实时数据采集存储。由于其工业级温度范围,它也常用于恶劣环境下的自动化控制系统。

替代型号

CY62148EAPLL-55ZSXI, IS61LV10248ALLB4-85B

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