LIMN10T1G 时间：2025/8/13 19:44:14 阅读：24

LIMN10T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。LIMN10T1G 采用 SOT-223 封装形式，具有良好的热管理和空间利用率。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.05Ω @ Vgs = 10V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω @ Vgs = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

LIMN10T1G 具有多个显著的性能特点。首先，其 N 沟道增强型结构提供了良好的导通特性和较高的电流承载能力，适用于多种功率应用。该器件的导通电阻较低，在 Vgs = 10V 时仅为 1.05Ω，在 Vgs = 4.5V 时为 1.4Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体能效。
　　其次，LIMN10T1G 的漏源电压额定值为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换电路。其栅源电压容限为 ±20V，允许在较宽的驱动条件下稳定工作，提高了器件的可靠性。