时间：2025/8/2 8:22:33
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DMN4027SSD-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-26 封装。该器件适用于低电压和中等功率应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛用于电源管理、负载开关和电机控制等场景。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.6A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-26
DMN4027SSD-13 具备多个优异的电气特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 27mΩ，在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。这对于需要高效率的电源转换器、DC-DC 转换器和电池供电设备尤为重要。其次，该器件采用双 N 沟道 MOSFET 结构，允许在单个封装中实现两个独立的开关通道，节省了 PCB 空间并简化了电路设计。
此外，DMN4027SSD-13 的封装形式为 SOT-26，这是一种小型化的表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高密度电路板设计。该器件的最大漏极电流为 5.6A（每个通道），支持在中等功率负载下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持 10V 标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路。
在可靠性方面，DMN4027SSD-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的热稳定性和耐久性，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其封装材料符合 RoHS 标准，确保环保合规。
DMN4027SSD-13 的高效率和紧凑设计使其广泛应用于多个领域。例如，在电源管理系统中，该器件可用于电池充电和放电控制、负载开关以及 DC-DC 转换器设计。在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，DMN4027SSD-13 可用于优化电源分配和提高能效。此外，该 MOSFET 还适用于电机控制电路，提供快速开关和稳定的电流传输能力。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于驱动继电器、LED 显示屏和其他低电压负载。由于其良好的热性能和可靠性，DMN4027SSD-13 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和传感器接口电路。
Si3442DV, DMN4027SSD, FDN340P
