时间：2025/6/29 13:39:10
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HUF76129D3ST是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，适用于高频开关和功率转换应用。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的领域。
这款芯片采用了TO-252(DPAK)封装形式，能够有效提升散热性能并减少寄生电感的影响，从而优化整体系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：38A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ(在VGS=10V时)
总功耗(Ptot)：216W
结温范围(TJ)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 超低导通电阻RDS(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 内置静电放电(ESD)保护功能，提升了芯片的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. TO-252封装提供良好的热性能和电气性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)电路。
2. 电机驱动控制中的逆变器和斩波器电路。
3. 各种DC-DC转换器拓扑结构，如降压、升压及反激式转换器。
4. 汽车电子中的负载开关和电池保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理和控制模块。
IRF7612,
STP38NF06,
FDP3870
