时间：2025/4/27 12:37:53
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FDA50N50是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，使其成为高效能功率管理应用的理想选择。
该器件的工作电压高达500V，能够承受较高的反向电压，同时具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
漏极电流：1.6A
导通电阻：3.5Ω
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDA50N50具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为500V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（3.5Ω），有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 小型化设计，采用标准TO-220封装，易于安装和集成。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 内置雪崩保护功能，增强器件的可靠性和耐用性。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流电路。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各种工业控制和汽车电子设备中的功率管理模块。
IRF840, STP50NF06, K1009N
