时间：2025/8/30 20:15:43
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TV30C131JB-G是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能功率转换的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和快速开关特性，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。TV30C131JB-G封装在小型表面贴装封装中，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：120W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
TV30C131JB-G采用了先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。其低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换器和电机驱动器。此外，该器件具有快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。
该MOSFET的栅极设计具有较高的耐压能力（±20V），提供了更好的抗干扰能力和稳定性，同时支持较高的驱动电压以确保完全导通。其封装采用表面贴装技术，有助于提高PCB的可靠性和制造效率，并支持自动装配流程。
TV30C131JB-G具有良好的热性能，能够在较高功率下保持稳定运行，并具有较长的使用寿命。其工作温度范围宽广，适用于多种工业环境。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计需求。
TV30C131JB-G广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及汽车电子设备。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高效能的开关电源（SMPS）设计，提供稳定的电流控制和低损耗性能。在DC-DC转换器中，其快速开关特性可有效减少能量损失，提高转换效率。
在电机控制应用中，TV30C131JB-G可以作为H桥驱动器的核心组件，实现对电机转速和方向的精确控制。其高电流承载能力使其适用于大功率电机驱动电路。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统中的充放电控制，提供高效可靠的电流切换功能。
在汽车电子系统中，TV30C131JB-G可用于车载电源系统、LED照明驱动以及车载娱乐系统的电源管理模块，满足汽车应用对高可靠性和长寿命的需求。
TPH3R30ANL, SiSS34DN, IPB033N04NG
