TV30C131JB-G是一款由Toshiba(东芝)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高性能功率转换的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供低导通电阻和快速开关特性,适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。TV30C131JB-G封装在小型表面贴装封装中,适合高密度PCB布局。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):30A
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):120W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOP(表面贴装)
TV30C131JB-G采用了先进的沟槽结构技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了效率。其低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流应用,如电源转换器和电机驱动器。此外,该器件具有快速开关能力,有助于降低开关损耗,提高系统响应速度。
该MOSFET的栅极设计具有较高的耐压能力(±20V),提供了更好的抗干扰能力和稳定性,同时支持较高的驱动电压以确保完全导通。其封装采用表面贴装技术,有助于提高PCB的可靠性和制造效率,并支持自动装配流程。
TV30C131JB-G具有良好的热性能,能够在较高功率下保持稳定运行,并具有较长的使用寿命。其工作温度范围宽广,适用于多种工业环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持绿色电子产品的设计需求。
TV30C131JB-G广泛应用于多个领域,包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及汽车电子设备。在电源管理应用中,该MOSFET可用于高效能的开关电源(SMPS)设计,提供稳定的电流控制和低损耗性能。在DC-DC转换器中,其快速开关特性可有效减少能量损失,提高转换效率。
在电机控制应用中,TV30C131JB-G可以作为H桥驱动器的核心组件,实现对电机转速和方向的精确控制。其高电流承载能力使其适用于大功率电机驱动电路。此外,该MOSFET也可用于电池管理系统中的充放电控制,提供高效可靠的电流切换功能。
在汽车电子系统中,TV30C131JB-G可用于车载电源系统、LED照明驱动以及车载娱乐系统的电源管理模块,满足汽车应用对高可靠性和长寿命的需求。
TPH3R30ANL, SiSS34DN, IPB033N04NG