AZ2013-04C.R7G 是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频和微波通信系统中。该芯片采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,能够在高频条件下提供卓越的增益性能和低噪声系数。它设计紧凑、功耗低,非常适合需要高效率和小尺寸的应用场景。
该芯片集成了偏置电路,从而简化了外部电路设计,减少了外围元件数量,提高了系统的可靠性和稳定性。此外,其出色的线性度使其在复杂的无线通信环境中表现出色。
型号:AZ2013-04C.R7G
工作频率范围:3.4 GHz 至 4.2 GHz
增益:20 dB
噪声系数:0.8 dB
输入回波损耗:-12 dB
输出回波损耗:-10 dB
最大输出功率(P1dB):+22 dBm
电源电压:5 V
工作电流:70 mA
封装形式:SOT-89
1. 高增益:在指定的工作频率范围内提供高达20 dB的增益,确保信号强度得到显著提升。
2. 低噪声系数:仅为0.8 dB,能够有效降低系统噪声水平,提高接收机灵敏度。
3. 宽带操作:支持从3.4 GHz到4.2 GHz的宽频率范围,适用于多种射频应用。
4. 简化的电路设计:集成的偏置电路减少外部元件需求,降低了设计复杂度。
5. 小型化封装:采用SOT-89封装,适合空间受限的设计环境。
6. 低功耗:仅需70 mA的工作电流,在保持高性能的同时减少能源消耗。
7. 高线性度:具备优秀的线性性能,可适应复杂的调制方案,减少信号失真。
AZ2013-04C.R7G 主要应用于以下领域:
1. 卫星通信系统中的低噪声放大器模块。
2. 微波无线电设备,如点对点无线链路。
3. 雷达系统,包括气象雷达和交通监控雷达。
4. 5G基站和其他高速数据传输网络中的前端射频模块。
5. 工业、科学和医疗(ISM)频段的无线通信设备。
6. 测试与测量仪器中的信号增强组件。
AZ2013-04B.R7G, AZ2013-05C.R7G