时间：2025/5/22 1:00:49
阅读：5
DMN3731UFB4 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET，采用 MicroFET 技术设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换应用以及负载开关场景。
其封装形式为 U-DFN0603-2 (SOT839)，体积小巧，适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：1.8nC（典型值）
总电容：180pF（典型值，输入电容）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：U-DFN0603-2 (SOT839)
DMN3731UFB4 的主要特点是低导通电阻和紧凑的封装尺寸。这使其非常适合需要高效能和小空间的应用。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力减少了开关损耗，从而提高了系统的整体性能。
3. 小型化封装，便于在便携式设备和其他对空间敏感的设计中使用。
4. 较宽的工作温度范围确保了其在极端条件下的可靠性。
该 MOSFET 常用于多种电源管理和信号切换场景，包括但不限于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC/DC 转换器中的同步整流。
3. 电池供电设备中的保护电路。
4. LED 驱动器中的开关元件。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
DMN3733UFB4, DMN3729UFB4
