时间：2025/4/28 19:28:31
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DMN32D4SDW 是一款 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），由 Diodes 公司生产。该器件采用小型化的 SOT23 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点包括极低的导通电阻和快速开关性能，非常适合于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的应用。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：4nC
开关速度：快速
封装类型：SOT23
DMN32D4SDW 是一种增强型场效应晶体管，具有非常低的导通电阻以减少功率损耗。
该器件的栅极阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使得它能够与低压逻辑电路兼容。
其快速开关性能和低寄生电容确保了在高频应用中的高效表现。
SOT23 封装体积小，非常适合空间受限的设计需求。
此外，DMN32D4SDW 的高雪崩能量能力提高了系统的可靠性。
该晶体管广泛应用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池保护电路、背光驱动等领域。
在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，可以用作电源管理的关键组件。
在工业领域，它可以用于各种控制和保护电路，例如传感器接口和信号调节电路。
另外，由于其快速开关性能，DMN32D4SDW 也适合于高频 PWM 控制电路。
DMN30HMSL, DMN29DWS, BSS138
