时间：2025/6/30 17:27:17
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DMN32D4SDW-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸封装 (DFN562)，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效能的功率转换应用。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域，其设计旨在满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：4nC
总功耗：580mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN32D4SDW-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 小型 DFN562 封装，适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 高雪崩能力，增强器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
该器件适用于多种应用场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 电机驱动和负载开关。
5. 手机和平板电脑等便携式设备的电源管理。
6. 通信接口保护和信号切换。
DMN32D4SFG-7
DMN3020DG-7
DMN2990DG-7
