类型：功率MOSFET模块
　　材料：SiC（碳化硅）
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：480A
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +225°C
　　封装类型：陶瓷双列直插式（DIP）
　　短路耐受能力：600A（10μs）
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　开关损耗（Eon/Eoff）：2.5mJ/3.0mJ（@ 400V, 200A）
　　热阻（Rth）：0.15°C/W（结到外壳）

CMD48125P 拥有多个关键特性，使其在高温和高功率应用中表现出色。首先，其基于 SiC 技术的功率 MOSFET 提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该模块具备优异的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和安全性。
　　此外，CMD48125P 的陶瓷封装设计提供了良好的绝缘性能和机械强度，适合在高温和高振动环境中使用。其工作温度范围覆盖 -55°C 至 +225°C，使该模块能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。
　　在开关性能方面，CMD48125P 表现出较低的开关损耗（Eon/Eoff），有助于提高系统的开关频率并减少热管理需求。同时，其低栅极电荷（Qg）进一步降低了驱动电路的复杂性和损耗，提升了整体系统的效率和响应速度。
　　最后，CMD48125P 还具备出色的热管理能力，热阻（Rth）仅为 0.15°C/W（结到外壳），能够有效将热量从芯片传导至外部散热系统，确保模块在高负载条件下的稳定运行。

CMD48125P 主要应用于需要高可靠性、高效率和高温耐受能力的电力电子系统中。常见应用包括电动汽车的主驱逆变器、充电系统、航空航天中的电源转换系统、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及储能系统等。
　　在电动汽车领域，CMD48125P 可用于逆变器和车载充电器，提供更高的功率密度和更长的续航里程。在航空航天应用中，其高温耐受能力和高可靠性使其成为理想的功率开关器件。此外，在工业电源和可再生能源系统中，CMD48125P 能够有效提高系统的效率和稳定性，降低维护成本。

CMD48125P 的替代型号包括 Infineon 的 FF480R12ME4_B11、Wolfspeed 的 C3M0060065J、以及 STMicroelectronics 的 SCT30N120。这些型号在性能和应用上与 CMD48125P 相似，可根据具体设计需求进行选择。