时间：2025/5/24 10:19:42
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DMN3032L是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管，采用DFN3030-8封装形式。该器件适用于各种电源管理应用，例如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电池保护电路等。其低导通电阻（Rds(on)）和小型化封装设计使其成为便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：918mW
工作温度范围：-55°C至150°C
DMN3032L具有非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了效率。
其小型DFN3030-8封装节省了印刷电路板空间，适合于紧凑型设计。
它还具有快速开关速度，降低了开关损耗，并支持高频操作。
具备出色的热稳定性和ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
符合RoHS标准，环保且无铅。
该MOSFET广泛用于消费类电子产品中的电源管理解决方案，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式设备的负载开关。
在计算机及其外设中用作电源转换器或保护电路。
适用于工业控制领域的小型电机驱动。
还可应用于电池管理系统，以实现过流保护和负载切换等功能。
DMN3032UF, DMN2990L
