时间：2025/9/2 5:27:19
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HY51VS65173HGLT-5DR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于SyncLink DRAM（SLDRAM）技术家族，主要用于需要高速数据访问的系统，例如高端计算机、网络设备和嵌入式系统。SLDRAM技术旨在提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟，从而满足高性能计算和通信应用的需求。
容量：64MB
类型：SyncLink DRAM (SLDRAM)
封装类型：TSOP
引脚数：168
电压：3.3V
频率：166MHz
数据宽度：16位
时钟速率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装尺寸：根据TSOP标准
数据传输模式：突发模式（Burst Mode）
接口类型：同步接口
刷新周期：64ms
最大功耗：约1.5W
HY51VS65173HGLT-5DR具有多项高性能特性，使其在当时成为高端系统的理想选择。首先，SyncLink DRAM技术通过使用高速同步接口和突发模式操作，显著提高了数据传输速率和系统吞吐量。其166MHz的频率和5.4ns的访问时间确保了快速的数据访问，适用于需要高带宽的应用场景。
其次，该芯片采用了低功耗设计，工作电压为3.3V，能够在保证性能的同时减少功耗。这对于需要长时间运行的网络设备和服务器系统尤为重要。此外，其16位的数据宽度使得系统能够更高效地处理数据，进一步提升了整体性能。
HY51VS65173HGLT-5DR的封装采用了TSOP（Thin Small Outline Package）技术，这种封装形式不仅体积小巧，而且散热性能良好，适合高密度的PCB布局设计。其工作温度范围为0°C至70°C，能够适应大多数工业环境下的运行需求。
该芯片支持突发模式操作，允许在单个读写操作中连续传输多个数据字，从而减少了访问延迟和总线占用时间。这种特性对于需要大量数据处理的应用（如图形处理、视频编码和网络数据包处理）非常有利。
HY51VS65173HGLT-5DR广泛应用于需要高性能存储的设备和系统中。常见的应用场景包括高端个人计算机、工作站、服务器、网络路由器和交换机等通信设备。由于其高带宽和低延迟的特点，该芯片特别适合用于图形加速卡、视频处理设备和高速缓存存储系统。
在网络设备中，HY51VS65173HGLT-5DR可以作为高速缓冲存储器，用于临时存储和转发大量的数据包，从而提高网络传输效率和设备响应速度。在图形处理领域，该芯片的高速特性能够有效支持复杂的图像渲染和实时视频处理任务。
此外，该芯片也适用于一些嵌入式系统，特别是在需要高性能和低功耗的工业控制和自动化设备中。其TSOP封装形式使其能够适应紧凑的电路板设计，同时满足设备对稳定性和可靠性的要求。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632H-UC60
