时间：2025/8/2 7:05:59
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DMN3024LSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的电源管理系统。该器件采用 8-SOIC 封装，具有低导通电阻和高功率密度，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-6A
导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ VGS = -10V；70mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
DMN3024LSS-13 的主要特点是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。
该器件支持高达 -6A 的连续漏极电流，适合用于中高功率的负载开关和 DC-DC 转换器设计。
其栅源电压范围为 ±20V，确保在各种工作条件下都能保持稳定运行，同时具备良好的抗干扰能力。
封装形式为 8-SOIC，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，并具有良好的热管理性能。
此外，DMN3024LSS-13 的快速开关特性使其适用于高频操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高电源系统的响应速度。
DMN3024LSS-13 主要应用于电源管理系统，包括笔记本电脑、平板电脑和移动设备的电源控制电路。
在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高效降压或升压电路，提供稳定的输出电压。
作为负载开关，DMN3024LSS-13 可用于隔离电源域，减少待机功耗，提高系统能效。
此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统，用于控制充放电路径，确保电池安全运行。
在工业自动化和通信设备中，DMN3024LSS-13 可用于实现高可靠性的电源切换和管理功能。
Si7153DP-T1-GE3, FDN3024P, DMN3024LSS
