时间：2025/8/2 8:38:54
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DMN3018SSD-13是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等电路设计中。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，具备较高的集成度和较小的PCB占用空间，适合用于便携式电子设备和高密度电路设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-1.8A
导通电阻（RDS(on)）：约95mΩ（在VGS = -10V时）
栅极电荷（Qg）：7.2nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：DFN1006（3x3mm）
DMN3018SSD-13具有低导通电阻的特性，这使得器件在导通状态下能够实现较低的功率损耗，从而提高整体电源效率。此外，其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频应用。该MOSFET还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
该器件采用DFN封装，具有优异的散热性能，且封装尺寸小，非常适合用于空间受限的设计。DMN3018SSD-13的栅极驱动电压范围较宽，支持-10V至-20V的栅源电压，确保在不同应用场景下都能可靠导通。
此外，该MOSFET具备较强的抗静电能力和过压保护能力，能够适应复杂电磁环境下的工作条件，确保系统的稳定性和可靠性。
DMN3018SSD-13常用于电池供电设备中的负载开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗设备。其低导通电阻和小封装特性也使其适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块和逻辑电平转换电路。此外，该器件也可用于工业控制系统中的小型继电器替代方案，实现快速、高效的开关控制。
AO4486, Si3442DV, FDC6303P, ZXMP6002FF
