时间：2025/12/26 10:48:03
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DMN21D2UFB-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23（SC-70）封装，适用于对空间和效率要求较高的便携式电子设备。该器件专为低压逻辑应用而设计，具备低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，能够有效提升系统能效并降低功耗。其主要优势在于超小型封装尺寸与优异的电气性能相结合，使其成为电池供电设备中理想的功率开关或信号控制元件。
DMN21D2UFB-7广泛应用于移动通信设备、可穿戴电子产品、物联网终端、电源管理模块及各类低电压数字电路中。由于其栅极阈值电压适中，可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。在PCB布局方面，其SOT-23封装支持表面贴装工艺，适合自动化生产流程，有助于提高制造效率和产品一致性。
类型：P沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
工作温度范围：-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流（ID）：-100mA @ 25°C
漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
漏源导通电阻（RDS(on)）：650 mΩ @ VGS = -4.5V；850 mΩ @ VGS = -2.5V
栅极电荷（Qg）：典型值约0.4nC
输入电容（Ciss）：典型值约29pF
功率耗散（PD）：200mW
反向二极管续流能力：具备内置体二极管
DMN21D2UFB-7作为一款P沟道增强型MOSFET，在低电压开关应用中展现出卓越的性能表现。其最显著的特点之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V条件下典型值仅为650mΩ，这使得器件在导通状态下产生的功率损耗非常小，特别适用于需要长时间运行且依赖电池供电的应用场景。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V下，其RDS(on)仍保持在850mΩ左右，表明其具有良好的低压驱动能力，兼容主流微控制器输出电平，避免了使用专用驱动芯片的需求，进一步优化了系统复杂度和成本结构。
该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保在上电过程中能够可靠开启，同时防止因噪声干扰导致误触发。其输入电容Ciss仅为29pF左右，配合极低的栅极电荷Qg（约0.4nC），使器件具备极快的开关速度，适用于高频开关操作，例如负载开关、LED调光控制或电源路径管理等应用。快速开关不仅提高了系统的响应速度，还有助于减少过渡期间的能量损耗，提升整体能效。
SOT-23（SC-70）封装提供了出色的散热性能与空间利用率，虽然体积小巧，但经过优化的内部引线设计和封装材料选择，使其能够在有限的空间内有效传导热量，保证长期稳定运行。此外，器件具备良好的抗ESD能力，增强了在实际装配和使用过程中的可靠性。其工作结温可达150°C，支持宽温环境下的应用需求，包括工业级和消费类电子设备。总体而言，DMN21D2UFB-7凭借其高集成度、低功耗特性和稳定的电气参数，成为现代微型电子系统中不可或缺的关键元件。
DMN21D2UFB-7因其小型化封装和高效能特性，被广泛用于各类便携式和高密度电子设备中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的电源开关或背光控制电路，用于实现各功能模块的独立供电管理，以延长待机时间。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，该器件可用于电池与主控单元之间的通断控制，支持低功耗模式切换，提升续航能力。此外，在物联网传感器节点中，常作为无线模块（如蓝牙BLE、Zigbee）的电源门控开关，仅在需要通信时激活外设，其余时间切断供电以节省能量。
在工业和消费类电子产品中，该MOSFET可用于LED驱动电路中的恒流调节或PWM调光控制，利用其快速开关特性精确控制亮度变化。它也适用于各类DC-DC转换器的同步整流辅助电路、USB端口的过流保护开关以及微处理器I/O扩展接口的电平切换控制。在电池管理系统（BMS）中，可作为充电路径或放电路径的隔离开关，配合保护IC协同工作，防止反向电流或过放现象发生。由于其具备内置体二极管，还能在某些情况下替代外部二极管实现续流功能，进一步节省PCB面积和物料成本。总之，凡是在低电压、小电流环境下需要实现高效开关控制的场合，DMN21D2UFB-7都是一种理想的选择。
DMG21D2UFG-7
DMG21D2UFT1G
FDC630P
